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SI4435DDY-T1-GE3

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  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:8.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):24 mOhms
  • 配置:Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
  • 封装:Reel
  • 下降时间:12 ns, 16 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:2500 mW
  • 上升时间:8 ns, 35 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:45 ns, 40 ns
  • 零件号别名:SI4435DDY-GE3
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